6.4 Pracownia Symetrii i Oddziaływań Efektywnych

Kierownik

dr hab. Małgorzata Sznajder, prof. UR

budynek A0, skrzydło B1, pokój 311

tel. 17 851 86 12

W pracowni (pokój nr 203, B1L) znajdują się dwa komputery stacjonarne o dużej mocy obliczeniowej (Intel Core i7-3970X [email protected], 48GB RAM), na których prowadzone są czasochłonne obliczenia numeryczne. Pracownia posiada komercyjne, specjalistyczne pakiety oprogramowania (VASP5.2, FPLO-9 oraz Mathematica) służące do wykonywania wysoce efektywnych obliczeń typu ab-inito oraz symulacji dynamiki molekularnej układów o dużej liczbie atomów w podejściu pseduopotencjałowym lub „projector-augmend wave” w oparciu o przybliżenie lokalnej gęstości, jak i uogólnionych gradientów i bazę fal płaskich. Wykonywane są również obliczenia elektronowej struktury pasmowej skomplikowanych układów w ramach teorii funkcjonałów gęstości i w podejściu zlokalizowanych orbitali. Część obliczeń dotyczących symulacji wzrostu cienkich warstw prowadzona jest również za pomocą niekomercyjnego kodu SIESTA. Dzięki technologii wielordzeniowej (każdy procesor posiada 6 rdzeni) obliczenia prowadzone są w sposób równoległy, co przyspiesza czas ich wykonania.

Badania prowadzone w Pracowni dotyczą modelowania i optymalizacji procesów wzrostu warstw półprzewodnikowych ważnych dla nowych technologii informacyjnych (elektronika wysokiej mocy, temperatur i częstotliwości). Badania obejmą analizę energetyki procesu adsorpcji atomów wybranych azotków (GaN, AlN) na powierzchniach węglika krzemu (4H-SiC oraz 6H-SiC) oraz modelowanie dynamiki wzrostu warstw GaN i AlN w procesach epitaksji. Rozwiązywany jest też problem kompensacji ładunku na heterowalencyjnych międzypowierzchniach w heterostrukturach SiC/GaN, SiC/AlN z siecią wurcytu.