Wzorce dla metody SIMS w celu ilościowego charakteryzowania struktur otrzymanych metodą MBE

Nazwa: Wzorce dla metody SIMS w celu ilościowego charakteryzowania struktur otrzymanych metodą MBE

Numer umowy: N2 136

Kwota dofinansowania: 164 890,00 zł

Źródło finansowania: Podkarpackie Centrum Innowacji

Okres realizacji: Luty-Lipiec 2021

Kierownik projektu: dr inż. Małgorzata Trzyna-Sowa

Opis projektu: Prognozy rozwoju detektorów półprzewodnikowych wskazują na dynamiczny wzrost segmentu technologii do zastosowań w zakresie podczerwieni. Głównymi elementami innowacyjnych podzespołów w takich urządzeniach high-tech są półprzewodniki otrzymywane na bazie związków grup  II-VI oraz III-V. W celu usprawnienia ich produkcji powstał niniejszy interdyscyplinarny projekt, który dotyczy wytworzenia i kompleksowej charakteryzacji wzorcowych struktur półprzewodnikowych służących do optymalizacji procesu produkcji wspomnianych materiałów.

Predictions of a future development of semiconductor detectors point to a dynamic growth of technologies for applications in the infrared spectral range. The main innovative elements in such high-tech devices are semiconductor compounds obtained on the basis of II-VI oraz III-V group. This interdisciplinary project concerns the manufacturing and characterization of a set of semiconductor structure standards for the optimization of the production process of materials mentioned above.