mgr Roman Hrytsak
- Jednostka:
Instytut Nauk Fizycznych - Budynek: A0
- Pokój: 319
- Nr telefonu: 17 851 85 79
- Email: [email protected]
- ORCID: 0000-0002-5467-0953
- Konsultacje dla studentów: Poniedziałek: 15:00--17:00
Informacje
Badania naukowe obejmują obliczenia z pierwszych zasad formacji oraz dyfuzji defektów w materiałach azotkowych, badanie roli defektów w odzwierciedleniu własności fizycznych kryształów. Atomistyczne modelowanie ab-initio wzrostu warstw stosowanych w heterostrukturach półprzewodnikowych. Badanie heterostruktur półprzewodnikowych mających zastosowanie w urządzeniach emitujących światło (LED-y, lasery).
Scientific research includes calculations from the first principles of the formation and diffusion of defects in nitride materials, as well as studies of the role of defects in reflecting the physical properties of crystals. Ab initio atomistic modeling of diffusion processes on interfaces, investigations of semiconductor heterostructures, and the growth of thin films. Study of semiconductor heterostructures used in light-emitting devices (LEDs, lasers).
Publikacje
- [współaut.] Kempisty P, Grzanka E, Leszczyński M [et al.] Modeling of the Point Defect Migration across the AlN/GaN Interfaces-Ab Initio Study. - Materials, 2022, Vol. 15, iss. 2
- [współaut.] Kempisty P, Leszczyński M, Sznajder M Identification of the Kirkendall effect as a mechanism responsible for thermal decomposition of the InGaN/GaN MQWs system. - New Journal of Physics, 2022, Vol. 24
- [współaut.] Lachowski A, Grzanka E, Grzanka S [et al.] Improving thermal stability of InGaN quantum wells by doping of GaN barrier layers. - Journal of Alloys and Compounds, 2022, Vol. 900
- [współaut.] Grabowski M, Grzanka E, Grzanka S [et al.] The impact of point defects in n-type GaN layers on thermal decomposition of InGaN/GaN QWs. - Scientific Reports, 2021, Vol. 11, iss. 1
- [współaut.] Kempisty P, Grzanka E, Leszczyński M [et al.] DFT study on point defects migration through the pseudomorphic and lattice-matched InN/GaN interfaces. - Computational Materials Science, 2021, Vol. 186
- [współaut.] Sznajder M DFT-Based Studies on Carbon Adsorption on the wz-GaN Surfaces and the Influence of Point Defects on the Stability of the Diamond-GaN Interfaces. - Materials, 2021, Vol. 14, iss. 21
- [współaut.] Sznajder M Ab initio studies of early stages of AlN growth process on the oxygen-terminated diamond (111) surface. - Diamond and Related Materials, 2018, vol. 83, s. 94-103